AOT1N60 Transistor - N-MOSFET 600V 0,9A 41,7W (TO220) Vognmand Helmholt Lasersvejste segmenter beskytter arbejdsmiljøet mod

Lasersvejste segmenter beskytter arbejdsmiljøet mod afrevne segmenter

Ved at vælge de rette belysningsløsninger kan vi skabe et sikkert og behageligt miljø for alle

mindre vedligeholdelse og en hverdag med færre afkalkninger – helt uden at bruge strøm

håndværkere og gør-det-selv-entusiaster har alt

der bringer moderne teknologi sammen med et smart design

AOT1N60 Transistor - N-MOSFET 600V 0,9A 41,7W (TO220) Vognmand Helmholt Lasersvejste segmenter beskytter arbejdsmiljøet modTekniske detaljer: Producent (varemrke): ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Type transistor: N MOSFET Polarisering: Unipolar Drain source spnding (VDS): 600V Kontinuerlig drain strm (ID): 0,9 A. Effektafledning: 41,7 W Hus: TO220 Gate source spnding (VGS): 30V On state modstand (RDS(on)): 9 ohm; Montering: Printhul Portladning: 6. 1nC Slags kanal: Forbedret Specifications: Manufacturer: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Type of transistor: N MOSFET Polarisation: